Transphorm TPH3206PSB
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- メーカー品番 :TPH3206PSB
- メーカーです :Transphorm
- Dasenic # :TPH3206PSB-DS
- ドキュメント : TPH3206PSB ドキュメント PDF
- 説明する : GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
- パッケージ :-
- 単価: $0.0000合計: $0.01
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Transphorm TPH3206PSB 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AB
消費電力（最大）:81W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:16A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:180mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.6V @ 500µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:6.2 nC @ 4.5 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:720 pF @ 480 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±18V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TPH3206PSB は Transphorm によって提供されています
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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評価とレビュー
Great Product
John D.
Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!
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Sarah M.
Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!
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Mike R.
Accurate product description and arrived earlier than expected.
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