Transphorm TPD3215M
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
メーカー品番 :TPD3215M
メーカーです :Transphorm
Dasenic Part :TPD3215M-DS
ドキュメント :
TPD3215M ドキュメント
TPD3215M ドキュメント顧客カスタム :
説明する : GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
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TPD3215M 情報
Transphorm TPD3215M 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:470W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- F E T機能:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:70A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:34mOhm @ 30A, 8V
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:28nC @ 8V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2260pF @ 100V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
TPD3215M 提供 Transphorm
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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