Transphorm TPD3215M
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
- メーカー品番 :TPD3215M
- メーカーです :Transphorm
- Dasenic Part :TPD3215M-DS
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TPD3215M ドキュメント - 説明する : GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
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Transphorm TPD3215M 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:Module
パワー - 最大:470W
サプライヤーデバイスパッケージ:Module
F E Tタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
F E T機能:GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:70A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:34mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:28nC @ 8V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2260pF @ 100V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Transphorm TPD3215M
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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