Transphorm TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
- メーカー品番 :TP65H050WS
- メーカーです :Transphorm
- Dasenic Part :TP65H050WS-DS
- ドキュメント :
TP65H050WS ドキュメント - 説明する : GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 13.509合計 : $ 13.51
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在庫: 1729
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 13.5090 | $ 13.51 |
| 30 + | $ 9.3714 | $ 281.14 |
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Transphorm TP65H050WS 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力（最大）:119W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:34A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 700µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1000 pF @ 400 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:12V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H050WS
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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