Transphorm TP65H300G4LSG
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
メーカー品番 :TP65H300G4LSG
メーカーです :Transphorm
Dasenic Part :TP65H300G4LSG-DS
ドキュメント :
TP65H300G4LSG ドキュメント
TP65H300G4LSG ドキュメント顧客カスタム :
説明する : GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
在庫: 1265
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0
合計 :$ 0.00
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
TP65H300G4LSG 情報
Transphorm TP65H300G4LSG 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:3-PowerDFN
- テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
- サプライヤーデバイスパッケージ:3-PQFN (8x8)
- 消費電力（最大）:21W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6.5A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:312mOhm @ 5A, 8V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.6V @ 500µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9.6 nC @ 8 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:760 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:8V
- Vgs (最大):±18V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TP65H300G4LSG 提供 Transphorm
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
Transphorm 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
