1 / 1

1 : $33.5714

Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !

Transphorm TPH3205WSBQA

Name: TPH3205WSBQA
Brand: Transphorm
SKU: TPH3205WSBQA-DS
Price: 33.5714 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Auf Lager: 1359

MOQ: 1

2 Preisstufen

Hersteller Modell :TPH3205WSBQA
Hersteller :Transphorm
Dasenic Modell :TPH3205WSBQA-DS
Dokument : TPH3205WSBQA Dokument PDF
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Verpackung :-
Einzelpreis: $33.5714
Gesamt: $33.57

Menge	Einzelpreis	Speichern
1-10	$33.5714	-
11-540	$27.9762	16.7% Speichern

Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.

Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.

Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

Transphorm TPH3205WSBQA technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

製品ステータス:Not For New Designs

動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)

取り付けタイプ:Through Hole

パッケージ/ケース:TO-247-3

テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)

サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3

消費電力（最大）:125W (Tc)

F E Tタイプ:N-Channel

F E T機能:-

ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V

電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:35A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:62mOhm @ 22A, 8V

Vgs(th) (最大) @ Id:2.6V @ 700µA

ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:42 nC @ 8 V

入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2200 pF @ 400 V

駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V

Vgs (最大):±18V

モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

輸出規制分類番号:EAR99

HTS 米国:8541.29.0095

EU RoHS ステータス:RoHS Compliant

REACH規則:Vendor is not defined

中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

TPH3205WSBQA bereitgestellt von Transphorm

2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーションサポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリングチームを活用する独自の垂直統合型ビジネスアプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワーエレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステムコスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。