Transphorm TP65H480G4JSG-TR
在庫: 9414
MOQ: 1
5 つの価格帯
- メーカー品番 :TP65H480G4JSG-TR
- メーカーです :Transphorm
- Dasenic # :TP65H480G4JSG-TR-DS
- ドキュメント : TP65H480G4JSG-TR ドキュメント PDF
- 説明する : GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
- パッケージ :-
- 単価: $3.0600合計: $3.06
| 数量 | 単価 | 節約 |
|---|---|---|
| 1-1 | $3.0600 | - |
| 2-10 | $2.1150 | 30.9% 節約 |
| 11-100 | $1.5390 | 49.7% 節約 |
| 101-500 | $1.3050 | 57.4% 節約 |
| 501-1000 | $1.2690 | 58.5% 節約 |
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Transphorm TP65H480G4JSG-TR 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:3-SMD, Flat Lead
テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
サプライヤーデバイスパッケージ:3-PQFN (5x6)
消費電力（最大）:13.2W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:560mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.8V @ 500µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9 nC @ 8 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:760 pF @ 400 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:8V
Vgs (最大):±18V
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TP65H480G4JSG-TR は Transphorm によって提供されています
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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評価とレビュー
Great Product
John D.
Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!
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Sarah M.
Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!
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Mike R.
Accurate product description and arrived earlier than expected.
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