Transphorm TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
- メーカー品番 :TP65H480G4JSG-TR
- メーカーです :Transphorm
- Dasenic Part :TP65H480G4JSG-TR-DS
- ドキュメント :
TP65H480G4JSG-TR ドキュメント - 説明する : GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 3.06合計 : $ 3.06
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在庫: 9414
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 3.0600 | $ 3.06 |
| 10 + | $ 2.1150 | $ 21.15 |
| 100 + | $ 1.5390 | $ 153.90 |
| 500 + | $ 1.2960 | $ 648.00 |
| 1000 + | $ 1.2510 | $ 1251.00 |
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Transphorm TP65H480G4JSG-TR 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:3-SMD, Flat Lead
テクノロジー:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
サプライヤーデバイスパッケージ:3-PQFN (5x6)
消費電力（最大）:13.2W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:560mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.8V @ 500µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9 nC @ 8 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:760 pF @ 400 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:8V
Vgs (最大):±18V
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H480G4JSG-TR
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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