Transphorm TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
メーカー品番 :TP65H050G4BS
メーカーです :Transphorm
Dasenic Part :TP65H050G4BS-DS
ドキュメント :
TP65H050G4BS ドキュメント
TP65H050G4BS ドキュメント顧客カスタム :
説明する : 650 V 34 A GAN FET
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 11.3310 | $ 11.33 |
| 50+ | $ 6.8850 | $ 344.25 |
| 100+ | $ 6.6420 | $ 664.2 |
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TP65H050G4BS 情報
Transphorm TP65H050G4BS 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263
- 消費電力（最大）:119W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:34A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:60mOhm @ 22A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 700µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1000 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TP65H050G4BS 提供 Transphorm
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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