Transphorm TP65H015G5WS
650 V 95 A GAN FET
- メーカー品番 :TP65H015G5WS
- メーカーです :Transphorm
- Dasenic Part :TP65H015G5WS-DS
- ドキュメント :
TP65H015G5WS ドキュメント - 説明する : 650 V 95 A GAN FET
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 29.61合計 : $ 29.61
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 29.6100 | $ 29.61 |
| 30 + | $ 19.4130 | $ 582.39 |
| 120 + | $ 18.9990 | $ 2279.88 |
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Transphorm TP65H015G5WS 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力（最大）:266W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:93A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:18mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 2mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:100 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5218 pF @ 400 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H015G5WS
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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