Goford Semiconductor GT100N12T
N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
- メーカー品番 :GT100N12T
- メーカーです :Goford Semiconductor
- Dasenic Part :GT100N12T-DS
- ドキュメント :
GT100N12T ドキュメント - 説明する : N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 0.5202合計 : $ 0.52
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在庫: 9000
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 150 + | $ 0.5202 | $ 78.03 |
| 15000 + | $ 0.4806 | $ 7209.00 |
| 30000 + | $ 0.4320 | $ 12960.00 |
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Goford Semiconductor GT100N12T 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
消費電力（最大）:120W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):120 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:70A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:10mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:50 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3050 pF @ 60 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor GT100N12T
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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