Goford Semiconductor G06NP06S2
N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
- メーカー品番 :G06NP06S2
- メーカーです :Goford Semiconductor
- Dasenic Part :G06NP06S2-DS
- ドキュメント :
G06NP06S2 ドキュメント - 説明する : N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 0.3548合計 : $ 0.35
- 出荷時期 :48時間以内に発送
- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
- 配達 :
- 支払い :
在庫: 19200
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10 + | $ 0.3548 | $ 3.55 |
| 4000 + | $ 0.1971 | $ 788.40 |
| 16000 + | $ 0.1818 | $ 2908.80 |
| 32000 + | $ 0.1638 | $ 5241.60 |
引用を要求
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
Goford Semiconductor G06NP06S2 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大:2W (Tc), 2.5W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
F E Tタイプ:N and P-Channel
F E T機能:Standard
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:22nC @ 10V, 25nC @ 10V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor G06NP06S2
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
Goford Semiconductor 関連商品のおすすめ
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
G06NP06S2 類似製品
評価とレビュー
評価
製品を評価してください！
アカウントにログイン後、コメントを送信してください。
