Wolfspeed C6D08065E
GEN 6 650V 8 A SBD
- メーカー品番 :C6D08065E
- メーカーです :Wolfspeed
- Dasenic Part :C6D08065E-DS
- ドキュメント :
C6D08065E ドキュメント - 説明する : GEN 6 650V 8 A SBD
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 1.3635合計 : $ 1.36
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 75 + | $ 1.3635 | $ 102.26 |
| 3000 + | $ 1.3536 | $ 4060.80 |
| 6000 + | $ 1.3437 | $ 8062.20 |
| 9000 + | $ 1.3329 | $ 11996.10 |
| 15000 + | $ 1.3230 | $ 19845.00 |
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Wolfspeed C6D08065E 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252-2
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):29A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.5 V @ 8 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:40 µA @ 650 V
静電容量 @ Vr、 F:518pF @ 0V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Wolfspeed C6D08065E
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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