WeEn Semiconductors BYV29G-600,127
DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK
- メーカー品番 :BYV29G-600,127
- メーカーです :WeEn Semiconductors
- Dasenic Part :BYV29G-600,127-DS
- ドキュメント :
BYV29G-600,127 ドキュメント - 説明する : DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 0.385合計 : $ 0.39
- 出荷時期 :48時間以内に発送
- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
- 配達 :
- 支払い :
在庫: 1788
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 0.3850 | $ 0.39 |
| 25 + | $ 0.3773 | $ 9.43 |
| 100 + | $ 0.3619 | $ 36.19 |
| 500 + | $ 0.3465 | $ 173.25 |
| 1000 + | $ 0.3272 | $ 327.20 |
引用を要求
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
WeEn Semiconductors BYV29G-600,127 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ:I2PAK
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電流 - 平均整流 ( Io):9A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.25 V @ 8 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 600 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):600 V
逆回復時間 (trr):60 ns
動作温度 - 接合部:150°C (Max)
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
WeEn Semiconductors BYV29G-600,127
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
WeEn Semiconductors 関連商品のおすすめ
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
BYV29G-600,127 類似製品
評価とレビュー
評価
製品を評価してください！
アカウントにログイン後、コメントを送信してください。
