UnitedSiC UF3C120080B7S
SICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
- メーカー品番 :UF3C120080B7S
- メーカーです :UnitedSiC
- Dasenic Part :UF3C120080B7S-DS
- ドキュメント :
UF3C120080B7S ドキュメント - 説明する : SICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 10.845合計 : $ 10.85
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在庫: 13338
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 10.8450 | $ 10.85 |
| 25 + | $ 9.4230 | $ 235.58 |
| 100 + | $ 8.1270 | $ 812.70 |
| 250 + | $ 7.4880 | $ 1872.00 |
| 500 + | $ 7.3710 | $ 3685.50 |
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UnitedSiC UF3C120080B7S 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
テクノロジー:SiCFET (Cascode SiCJFET)
サプライヤーデバイスパッケージ:D2PAK-7
消費電力（最大）:190W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:28.8A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:105mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (最大) @ Id:6V @ 10mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:23 nC @ 12 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:754 pF @ 100 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
Vgs (最大):±25V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UnitedSiC UF3C120080B7S
1999年、ラトガース大学の小さな研究者チームがUnitedSiCを設立しました。2010年、UnitedSiCはプリンストンニュージャージーの近くにパイロット生産クリーンルームを建設し、SiCプロセスを商業ファウンドリに直接設置できる段階まで強化しました。この時点で、UnitedSiCはファブレス企業となり、製品設計、研究開発、顧客サポートにリソースを集中させました。2021年11月3日、QorvoはUnitedSiCの買収を発表し、UnitedSiCはQorvoのインフラストラクチャおよび防衛製品（IDP）事業の一部となりました。UnitedSiCのテクノロジーは、Qorvoの補完的なプログラマブル電源管理製品と世界クラスのサプライチェーン機能と相まって、UnitedSiCは最先端のアプリケーションで優れたレベルの電力効率を実現できるようになります。現在、世界中のお客様が、新しい電気自動車 (EV) 充電器、AC-DC および DC-DC 電源、ソリッドステート回路ブレーカー、可変速モーター ドライブ、太陽光発電インバーターに UnitedSiC FET、JFET、ショットキー ダイオード デバイスを使用しています。
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