Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE,LM
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
- メーカー品番 :SSM6N7002BFE,LM
- メーカーです :Toshiba Semiconductor and Storage
- Dasenic Part :SSM6N7002BFE,LM-DS
- ドキュメント :
SSM6N7002BFE,LM ドキュメント
- 説明する : MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 0.234合計 : $ 0.23
- 出荷時期 :48時間以内に発送
- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
- 配達 :
- 支払い :
在庫: 44870
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
数量 | 単価 | 合計 |
1 + | $ 0.2340 | $ 0.23 |
10 + | $ 0.1413 | $ 1.41 |
100 + | $ 0.0666 | $ 6.66 |
1000 + | $ 0.0522 | $ 52.20 |
4000 + | $ 0.0468 | $ 187.20 |
引用を要求
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE,LM 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
パワー - 最大:150mW
サプライヤーデバイスパッケージ:ES6
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
F E T機能:Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:200mA
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.1V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:17pF @ 25V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE,LM
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
Toshiba Semiconductor and Storage 関連商品のおすすめ
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
SSM6N7002BFE,LM 類似製品
評価とレビュー
評価
製品を評価してください!
アカウントにログイン後、コメントを送信してください。