SemiQ GSID100A120T2C1
IGBT MOD 1200V 200A 640W
- メーカー品番 :GSID100A120T2C1
- メーカーです :SemiQ
- Dasenic Part :GSID100A120T2C1-DS
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GSID100A120T2C1 ドキュメント - 説明する : IGBT MOD 1200V 200A 640W
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SemiQ GSID100A120T2C1 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 150°C
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Module
パワー - 最大:640 W
サプライヤーデバイスパッケージ:Module
構成:Three Phase Inverter
入力:Three Phase Bridge Rectifier
電流 - コレクター ( Ic) (最大):200 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
電流 - コレクターカットオフ（最大）:1 mA
I G B Tタイプ:-
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.1V @ 15V, 100A
入力容量 ( Cies) @ Vce:13.7 nF @ 25 V
N T Cサーミスタ:Yes
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SemiQ GSID100A120T2C1
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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