SemiQ GHXS030A060S-D1E
BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
メーカー品番 :GHXS030A060S-D1E
メーカーです :SemiQ
Dasenic Part :GHXS030A060S-D1E-DS
ドキュメント :
GHXS030A060S-D1E ドキュメント
GHXS030A060S-D1E ドキュメント顧客カスタム :
説明する : BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 33.2640 | $ 33.26 |
| 10+ | $ 29.6460 | $ 296.46 |
| 20+ | $ 27.8820 | $ 557.64 |
| 50+ | $ 26.9460 | $ 1347.3 |
| 100+ | $ 26.0190 | $ 2601.9 |
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GHXS030A060S-D1E 情報
SemiQ GHXS030A060S-D1E 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- テクノロジー:Silicon Carbide Schottky
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- ダイオードタイプ:Single Phase
- 電圧 - ピーク逆電圧（最大）:600 V
- 電流 - 平均整流 ( Io):30 A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 30 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 µA @ 600 V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GHXS030A060S-D1E 提供 SemiQ
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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