Rochester Electronics BSM75GAL120DN2HOSA1
IGBT MOD 1200V 105A 625W
メーカー品番 :BSM75GAL120DN2HOSA1
メーカーです :Rochester Electronics
Dasenic Part :BSM75GAL120DN2HOSA1-DS
ドキュメント :
BSM75GAL120DN2HOSA1 ドキュメント
BSM75GAL120DN2HOSA1 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : IGBT MOD 1200V 105A 625W
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 148.4000 | $ 148.4 |
| 25+ | $ 145.4400 | $ 3636 |
| 100+ | $ 139.5000 | $ 13950 |
| 500+ | $ 133.5600 | $ 66780 |
| 1000+ | $ 126.1400 | $ 126140 |
在庫: 1509
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 148.4
合計 :$ 148.40
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
BSM75GAL120DN2HOSA1 情報
Rochester Electronics BSM75GAL120DN2HOSA1 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Last Time Buy
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:625 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Single Switch
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):105 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1.4 mA
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3V @ 15V, 75A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:5.5 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:No
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BSM75GAL120DN2HOSA1 提供 Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
Rochester Electronics 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
