GeneSiC Semiconductor KBU6K
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
- メーカー品番 :KBU6K
- メーカーです :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Part :KBU6K-DS
- ドキュメント :
KBU6K ドキュメント
- 説明する : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 0.729合計 : $ 0.73
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数量 | 単価 | 合計 |
1 + | $ 0.7290 | $ 0.73 |
5 + | $ 0.4734 | $ 2.37 |
25 + | $ 0.3735 | $ 9.34 |
100 + | $ 0.3393 | $ 33.93 |
400 + | $ 0.3168 | $ 126.72 |
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GeneSiC Semiconductor KBU6K 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:4-SIP, KBU
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:KBU
ダイオードタイプ:Single Phase
電圧 - ピーク逆電圧(最大):800 V
電流 - 平均整流 ( Io):6 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1 V @ 6 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 800 V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor KBU6K
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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