IXYS IXTH02N250
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
- メーカー品番 :IXTH02N250
- メーカーです :IXYS
- Dasenic Part :IXTH02N250-DS
- ドキュメント :
IXTH02N250 ドキュメント - 説明する : MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
- パッケージ :-
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 15.0570 | $ 15.06 |
| 10 + | $ 14.1660 | $ 141.66 |
| 30 + | $ 10.1340 | $ 304.02 |
| 60 + | $ 9.8370 | $ 590.22 |
| 120 + | $ 9.3780 | $ 1125.36 |
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IXYS IXTH02N250 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247 (IXTH)
消費電力（最大）:83W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):2500 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:200mA (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:450Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:7.4 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:116 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXTH02N250
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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