IXYS IXGA42N30C3
IGBT 300V 223W TO263AA
- メーカー品番 :IXGA42N30C3
- メーカーです :IXYS
- Dasenic Part :IXGA42N30C3-DS
- ドキュメント :
IXGA42N30C3 ドキュメント - 説明する : IGBT 300V 223W TO263AA
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 4.6400 | $ 4.64 |
| 3 + | $ 4.1600 | $ 12.48 |
| 10 + | $ 3.6800 | $ 36.80 |
| 50 + | $ 3.3200 | $ 166.00 |
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IXYS IXGA42N30C3 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:223 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AA
逆回復時間 (trr):-
電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):300 V
I G B Tタイプ:PT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.85V @ 15V, 42A
電流 - コレクタパルス ( Icm):250 A
エネルギーの切り替え:120µJ (on), 150µJ (off)
ゲートチャージ:76 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:21ns/113ns
テスト条件:200V, 21A, 10Ohm, 15V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXGA42N30C3
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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