IXYS IXFN100N10S1
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
- メーカー品番 :IXFN100N10S1
- メーカーです :IXYS
- Dasenic Part :IXFN100N10S1-DS
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IXFN100N10S1 ドキュメント - 説明する : MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
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IXYS IXFN100N10S1 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
消費電力（最大）:360W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 4mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:180 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:4500 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXFN100N10S1
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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