ISSI® IS66WVH32M8DBLL-100B1LI
256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 3.0V, 1
- メーカー品番 :IS66WVH32M8DBLL-100B1LI
- メーカーです :ISSI®
- Dasenic Part :IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-DS
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IS66WVH32M8DBLL-100B1LI ドキュメント
- 説明する : 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 3.0V, 1
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数量 | 単価 | 合計 |
10 + | $ 8.9208 | $ 89.21 |
480 + | $ 7.4340 | $ 3568.32 |
960 + | $ 7.3080 | $ 7015.68 |
1920 + | $ 7.1820 | $ 13789.44 |
2880 + | $ 7.1190 | $ 20502.72 |
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ISSI® IS66WVH32M8DBLL-100B1LI 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
パッケージ/ケース:24-TBGA
テクノロジー:PSRAM (Pseudo SRAM)
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
電圧供給:2.7V ~ 3.6V
メモリサイズ:256Mbit
メモリタイプ:Volatile
クロック周波数:100 MHz
アクセス時間:40 ns
メモリフォーマット:PSRAM
メモリインターフェース:Parallel
記憶の整理:32M x 8
書き込みサイクル時間-ワードページ:40ns
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS66WVH32M8DBLL-100B1LI
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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