ISSI® IS46TR16256B-125KBLA2
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
- メーカー品番 :IS46TR16256B-125KBLA2
- メーカーです :ISSI®
- Dasenic Part :IS46TR16256B-125KBLA2-DS
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IS46TR16256B-125KBLA2 ドキュメント
- 説明する : IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
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数量 | 単価 | 合計 |
1 + | $ 10.7820 | $ 10.78 |
10 + | $ 9.9900 | $ 99.90 |
25 + | $ 9.7650 | $ 244.13 |
100 + | $ 8.7210 | $ 872.10 |
190 + | $ 8.1360 | $ 1545.84 |
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ISSI® IS46TR16256B-125KBLA2 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 105°C (TC)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:96-TFBGA
テクノロジー:SDRAM - DDR3
サプライヤーデバイスパッケージ:96-TWBGA (9x13)
メモリサイズ:4Gbit
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:1.425V ~ 1.575V
クロック周波数:800 MHz
アクセス時間:20 ns
メモリフォーマット:DRAM
メモリインターフェース:Parallel
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
シリーズ:Automotive, AEC-Q100
基本製品番号:IS46TR16256
記憶の組織化:256M x 16
パッケージ:Tray
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8542.32.0036
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS46TR16256B-125KBLA2
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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