ISSI® IS25LP512MG-RMLE-TY
- メーカー品番 :IS25LP512MG-RMLE-TY
- メーカーです :ISSI®
- Dasenic Part :IS25LP512MG-RMLE-TY-DS
- ドキュメント : IS25LP512MG-RMLE-TY ドキュメント
- 説明する : IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
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ISSI® IS25LP512MG-RMLE-TY 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 105°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
テクノロジー:FLASH - NOR
サプライヤーデバイスパッケージ:16-SOIC
メモリサイズ:512Mbit
メモリタイプ:Non-Volatile
電圧 - 供給:2.3V ~ 3.6V
クロック周波数:166 MHz
アクセス時間:5.5 ns
メモリフォーマット:Flash
メモリインターフェース:SPI - Quad I/O, QPI, DTR
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:50µs, 1ms
基本製品番号:IS25LP512
記憶の組織化:64M x 8
パッケージ:Tray
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:3A991B1A
HTS 米国:8542.32.0071
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS25LP512MG-RMLE-TY
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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