Integra Technologies IGT1112M90
GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
- メーカー品番 :IGT1112M90
- メーカーです :Integra Technologies
- Dasenic Part :IGT1112M90-DS
- ドキュメント :
IGT1112M90 ドキュメント
- 説明する : GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
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- 数量 :単価 : $ 2250.656合計 : $ 2250.66
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数量 | 単価 | 合計 |
5 + | $ 2250.6560 | $ 11253.28 |
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Integra Technologies IGT1112M90 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
製品ステータス:Active
電圧 - 定格:-
パッケージ/ケース:-
頻度:-
定格電流(アンペア):-
サプライヤーデバイスパッケージ:-
電力 - 出力:-
トランジスタタイプ:-
得:-
電圧 - テスト:-
ノイズ指数:-
現在 - テスト:-
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Integra Technologies IGT1112M90
Integra Technologies は、世界中の最高性能のレーダー システム向けに、最先端の RF パワー ソリューションを設計、製造しています。当社の製品には、RF パワー トランジスタ GaN、RF パワー トランジスタ シリコン、50 オーム RF パワー トランジスタ、RF パワー アンプ パレットなどがあります。当社は高性能市場に焦点を当て、航空宇宙および防衛レーダー、航空管制、気象レーダー、航空電子工学、データ リンク、電子戦、医療および産業アプリケーション向けに、既製、セミカスタム、カスタム ソリューションを提供しています。当社は、最先端の高出力プリマッチおよびフルマッチ RF パワー トランジスタと統合 RF パワー アンプ モジュールの完全なセレクションで、現在の UHF から X バンドのレーダー システム アプリケーションをサポートするだけでなく、レガシー プログラムとカスタム設計要件のサポートにも取り組んでいます。
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