Integra Technologies IGN1011L1200
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
- メーカー品番 :IGN1011L1200
- メーカーです :Integra Technologies
- Dasenic Part :IGN1011L1200-DS
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IGN1011L1200 ドキュメント - 説明する : GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
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Integra Technologies IGN1011L1200 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
製品ステータス:Active
電圧 - 定格:180 V
パッケージ/ケース:PL84A1
頻度:1.03GHz ~ 1.09GHz
定格電流（アンペア）:-
サプライヤーデバイスパッケージ:PL84A1
電力 - 出力:1250W
トランジスタタイプ:HEMT
得:16.8dB
電圧 - テスト:50 V
ノイズ指数:-
現在 - テスト:160 mA
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0075
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Integra Technologies IGN1011L1200
Integra Technologies は、世界中の最高性能のレーダー システム向けに、最先端の RF パワー ソリューションを設計、製造しています。当社の製品には、RF パワー トランジスタ GaN、RF パワー トランジスタ シリコン、50 オーム RF パワー トランジスタ、RF パワー アンプ パレットなどがあります。当社は高性能市場に焦点を当て、航空宇宙および防衛レーダー、航空管制、気象レーダー、航空電子工学、データ リンク、電子戦、医療および産業アプリケーション向けに、既製、セミカスタム、カスタム ソリューションを提供しています。当社は、最先端の高出力プリマッチおよびフルマッチ RF パワー トランジスタと統合 RF パワー アンプ モジュールの完全なセレクションで、現在の UHF から X バンドのレーダー システム アプリケーションをサポートするだけでなく、レガシー プログラムとカスタム設計要件のサポートにも取り組んでいます。
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