Goford Semiconductor GT650N15K
N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4.
- メーカー品番 :GT650N15K
- メーカーです :Goford Semiconductor
- Dasenic Part :GT650N15K-DS
- ドキュメント :
GT650N15K ドキュメント - 説明する : N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4.
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 0.4763合計 : $ 0.48
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10 + | $ 0.4763 | $ 4.76 |
| 2500 + | $ 0.2646 | $ 661.50 |
| 15000 + | $ 0.2439 | $ 3658.50 |
| 30000 + | $ 0.2196 | $ 6588.00 |
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Goford Semiconductor GT650N15K 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252
消費電力（最大）:68W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):150 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:65mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:12 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:600 pF @ 75 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor GT650N15K
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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