Goford Semiconductor GC20N65F
N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
- メーカー品番 :GC20N65F
- メーカーです :Goford Semiconductor
- Dasenic Part :GC20N65F-DS
- ドキュメント :
GC20N65F ドキュメント - 説明する : N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 1.2384合計 : $ 1.24
- 出荷時期 :48時間以内に発送
- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
- 配達 :
- 支払い :
在庫: 45064
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 100 + | $ 1.2384 | $ 123.84 |
| 15000 + | $ 1.1430 | $ 17145.00 |
| 30000 + | $ 1.0287 | $ 30861.00 |
引用を要求
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
Goford Semiconductor GC20N65F 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220F
消費電力（最大）:34W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:170mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:39 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1724 pF @ 100 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor GC20N65F
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
Goford Semiconductor 関連商品のおすすめ
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
GC20N65F 類似製品
評価とレビュー
評価
製品を評価してください！
アカウントにログイン後、コメントを送信してください。
