Goford Semiconductor G65P06K
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.
- メーカー品番 :G65P06K
- メーカーです :Goford Semiconductor
- Dasenic Part :G65P06K-DS
- ドキュメント :
G65P06K ドキュメント - 説明する : P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 1.701合計 : $ 1.70
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- 配達 :
- 支払い :
在庫: 36000
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 5 + | $ 1.7010 | $ 8.51 |
| 10 + | $ 1.0800 | $ 10.80 |
| 50 + | $ 0.9180 | $ 45.90 |
| 100 + | $ 0.7299 | $ 72.99 |
| 200 + | $ 0.6912 | $ 138.24 |
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Goford Semiconductor G65P06K 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252
消費電力（最大）:130W (Tc)
F E Tタイプ:P-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:65A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:75 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5814 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor G65P06K
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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