Goford Semiconductor G18P03D3
P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
- メーカー品番 :G18P03D3
- メーカーです :Goford Semiconductor
- Dasenic Part :G18P03D3-DS
- ドキュメント :
G18P03D3 ドキュメント - 説明する : P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 2.42合計 : $ 2.42
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在庫: 980
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 2.4200 | $ 2.42 |
| 10 + | $ 1.5220 | $ 15.22 |
| 100 + | $ 2.4200 | $ 242.00 |
| 500 + | $ 0.7786 | $ 389.30 |
| 1000 + | $ 0.7066 | $ 706.60 |
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Goford Semiconductor G18P03D3 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (3.15x3.05)
消費電力（最大）:40W (Tc)
F E Tタイプ:P-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:28A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:30 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2060 pF @ 15 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor G18P03D3
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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