GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
- メーカー品番 :GB05SLT12-252
- メーカーです :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic Part :GB05SLT12-252-DS
- ドキュメント :
GB05SLT12-252 ドキュメント - 説明する : DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
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| 数量 | 単価 | 合計 |
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| 2500 + | $ 6.1050 | $ 15262.50 |
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GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Obsolete
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):5A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 2 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr、 F:260pF @ 1V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GB05SLT12-252
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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