Flip Electronics NTMFD0D9N02P1E
IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
- メーカー品番 :NTMFD0D9N02P1E
- メーカーです :Flip Electronics
- Dasenic Part :NTMFD0D9N02P1E-DS
- ドキュメント :
NTMFD0D9N02P1E ドキュメント
- 説明する : IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 1.116合計 : $ 1.12
- 出荷時期 :48時間以内に発送
- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
- 配達 :
- 支払い :
在庫: 3762
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
数量 | 単価 | 合計 |
1 + | $ 1.1160 | $ 1.12 |
25 + | $ 1.0980 | $ 27.45 |
100 + | $ 1.0530 | $ 105.30 |
500 + | $ 1.0080 | $ 504.00 |
1000 + | $ 0.9450 | $ 945.00 |
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Flip Electronics NTMFD0D9N02P1E 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-PowerWDFN
パワー - 最大:960mW (Ta), 1.04W (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-PQFN (5x6)
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
F E T機能:Standard
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V, 25V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:14A (Ta), 30A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 340µA, 2V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
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