Wolfspeed CGHV1F025S
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
メーカー品番 :CGHV1F025S
メーカーです :Wolfspeed
Dasenic Part :CGHV1F025S-DS
ドキュメント :
CGHV1F025S ドキュメント
CGHV1F025S ドキュメント顧客カスタム :
説明する : RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 102.6630 | $ 102.66 |
| 10+ | $ 89.6760 | $ 896.76 |
| 25+ | $ 85.8510 | $ 2146.28 |
| 250+ | $ 85.8420 | $ 21460.5 |
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CGHV1F025S 情報
Wolfspeed CGHV1F025S 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- 製品ステータス:Active
- 電圧 - 定格:100 V
- パッケージ/ケース:12-VFDFN Exposed Pad
- 頻度:0Hz ~ 15GHz
- 定格電流（アンペア）:2A
- サプライヤーデバイスパッケージ:12-DFN (4x3)
- 電力 - 出力:29W
- トランジスタタイプ:HEMT
- 得:11.6dBm
- 電圧 - テスト:40 V
- ノイズ指数:-
- 現在 - テスト:150 mA
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:DISC 3A001B3
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CGHV1F025S 提供 Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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