Goford Semiconductor GT090N06D52
N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
メーカー品番 :GT090N06D52
メーカーです :Goford Semiconductor
Dasenic Part :GT090N06D52-DS
ドキュメント :
GT090N06D52 ドキュメント
GT090N06D52 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.6626 | $ 6.63 |
| 5000+ | $ 0.3681 | $ 1840.5 |
| 15000+ | $ 0.3402 | $ 5103 |
| 30000+ | $ 0.3060 | $ 9180 |
在庫: 15000
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.6626
合計 :$ 0.66
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
GT090N06D52 情報
Goford Semiconductor GT090N06D52 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- パワー - 最大:62W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (4.9x5.75)
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:40A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:9mOhm @ 14A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1620pF @ 30V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GT090N06D52 提供 Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
Goford Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
