.jpg)
Goford Semiconductor GC20N65F
N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
メーカー品番 :GC20N65F
メーカーです :Goford Semiconductor
Dasenic Part :GC20N65F-DS
ドキュメント :
GC20N65F ドキュメント
GC20N65F ドキュメント顧客カスタム :
説明する : N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 100+ | $ 1.2384 | $ 123.84 |
| 15000+ | $ 1.1430 | $ 17145 |
| 30000+ | $ 1.0287 | $ 30861 |
在庫: 38049
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 1.2384
合計 :$ 1.24
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
GC20N65F 情報
Goford Semiconductor GC20N65F 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220F
- 消費電力（最大）:34W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:170mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:39 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1724 pF @ 100 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GC20N65F 提供 Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
Goford Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
