Goford Semiconductor G7P03S
P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33
メーカー品番 :G7P03S
メーカーです :Goford Semiconductor
Dasenic Part :G7P03S-DS
ドキュメント :
G7P03S ドキュメント
G7P03S ドキュメント顧客カスタム :
説明する : P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.1636 | $ 1.64 |
| 4000+ | $ 0.0909 | $ 363.6 |
| 16000+ | $ 0.0855 | $ 1368 |
| 32000+ | $ 0.0801 | $ 2563.2 |
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G7P03S 情報
Goford Semiconductor G7P03S 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
- 消費電力（最大）:2.7W (Tc)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:22mOhm @ 3A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24.5 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1253 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G7P03S 提供 Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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