Goford Semiconductor G70N04T
N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
メーカー品番 :G70N04T
メーカーです :Goford Semiconductor
Dasenic Part :G70N04T-DS
ドキュメント :
G70N04T ドキュメント
G70N04T ドキュメント顧客カスタム :
説明する : N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.2862 | $ 2.86 |
| 300+ | $ 0.2385 | $ 71.55 |
| 15000+ | $ 0.2196 | $ 3294 |
| 30000+ | $ 0.1980 | $ 5940 |
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G70N04T 情報
Goford Semiconductor G70N04T 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
- 消費電力（最大）:75W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:60A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:7mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:50 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:4010 pF @ 20 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G70N04T 提供 Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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