Goford Semiconductor G6P06
P60V,RD(MAX)<96M@-10V,RD(MAX)<14
メーカー品番 :G6P06
メーカーです :Goford Semiconductor
Dasenic Part :G6P06-DS
ドキュメント :
G6P06 ドキュメント
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説明する : P60V,RD(MAX)<96M@-10V,RD(MAX)<14
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.1912 | $ 1.91 |
| 4000+ | $ 0.1062 | $ 424.8 |
| 16000+ | $ 0.0981 | $ 1569.6 |
| 32000+ | $ 0.0882 | $ 2822.4 |
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G6P06 情報
Goford Semiconductor G6P06 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
- 消費電力（最大）:4.1W (Tc)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:96mOhm @ 4A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:25 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:930 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G6P06 提供 Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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