Goford Semiconductor G16P03D3
P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
メーカー品番 :G16P03D3
メーカーです :Goford Semiconductor
Dasenic Part :G16P03D3-DS
ドキュメント :
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G16P03D3 ドキュメント顧客カスタム :
説明する : P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.2495 | $ 2.5 |
| 5000+ | $ 0.1386 | $ 693 |
| 15000+ | $ 0.1278 | $ 1917 |
| 30000+ | $ 0.1152 | $ 3456 |
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G16P03D3 情報
Goford Semiconductor G16P03D3 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (3.15x3.05)
- 消費電力（最大）:3W (Tc)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:16A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:12mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:35 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1995 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G16P03D3 提供 Goford Semiconductor
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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