Wolfspeed GTRA362002FC-V1-R0
200W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
メーカー品番 :GTRA362002FC-V1-R0
メーカーです :Wolfspeed
Dasenic Part :GTRA362002FC-V1-R0-DS
ドキュメント :
GTRA362002FC-V1-R0 ドキュメント
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説明する : 200W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 154.3680 | $ 154.37 |
| 10+ | $ 135.0270 | $ 1350.27 |
| 25+ | $ 134.5500 | $ 3363.75 |
| 50+ | $ 134.5410 | $ 6727.05 |
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GTRA362002FC-V1-R0 情報
Wolfspeed GTRA362002FC-V1-R0 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- 製品ステータス:Active
- 電圧 - 定格:125 V
- パッケージ/ケース:H-37248C-4
- 頻度:3.4GHz ~ 3.6GHz
- 定格電流（アンペア）:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:H-37248C-4
- 電力 - 出力:200W
- トランジスタタイプ:HEMT
- 得:13.5dB
- 電圧 - テスト:48 V
- ノイズ指数:-
- 現在 - テスト:140 mA
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:DISC 3A001B3
- HTS 米国:8541.29.0075
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GTRA362002FC-V1-R0 提供 Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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