Wolfspeed C3M0280090J-TR
SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
- メーカー品番 :C3M0280090J-TR
- メーカーです :Wolfspeed
- Dasenic Part :C3M0280090J-TR-DS
- ドキュメント :
C3M0280090J-TR ドキュメント - 説明する : SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 3.902合計 : $ 3.90
- 出荷時期 :48時間以内に発送
- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
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在庫: 8492
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10 + | $ 3.9020 | $ 39.02 |
| 800 + | $ 3.2517 | $ 2601.36 |
| 4000 + | $ 3.2445 | $ 12978.00 |
| 8000 + | $ 3.2238 | $ 25790.40 |
| 12000 + | $ 3.2031 | $ 38437.20 |
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Wolfspeed C3M0280090J-TR 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:D2PAK-7
消費電力（最大）:50W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):900 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:11A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:360mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 1.2mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9.5 nC @ 15 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:150 pF @ 600 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
Vgs (最大):+18V, -8V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Wolfspeed C3M0280090J-TR
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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