Wolfspeed C3M0280090D
SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
- メーカー品番 :C3M0280090D
- メーカーです :Wolfspeed
- Dasenic Part :C3M0280090D-DS
- ドキュメント :
C3M0280090D ドキュメント
- 説明する : SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
- パッケージ :-
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数量 | 単価 | 合計 |
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450 + | $ 0.5674 | $ 255.33 |
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Wolfspeed C3M0280090D 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力(最大):54W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):900 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:11.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:360mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 1.2mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9.5 nC @ 15 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:150 pF @ 600 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):15V
Vgs (最大):+18V, -8V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Wolfspeed C3M0280090D
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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