Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J338R,LF
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
メーカー品番 :SSM3J338R,LF
Dasenic Part :SSM3J338R,LF-DS
ドキュメント :
SSM3J338R,LF ドキュメント
SSM3J338R,LF ドキュメント顧客カスタム :
説明する : MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.1550 | $ 1.55 |
| 3000+ | $ 0.0861 | $ 258.3 |
| 6000+ | $ 0.0790 | $ 474 |
| 9000+ | $ 0.0861 | $ 774.9 |
| 15000+ | $ 0.0712 | $ 1068 |
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SSM3J338R,LF 情報
Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J338R,LF 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-23-3 Flat Leads
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-23F
- 消費電力（最大）:1W (Ta)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):12 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:17.6mOhm @ 6A, 8V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:19.5 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1400 pF @ 6 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.8V, 8V
- Vgs (最大):±10V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SSM3J338R,LF 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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