Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
メーカー品番 :RN2908FE(TE85L,F)
Dasenic Part :RN2908FE(TE85L,F)-DS
ドキュメント :
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説明する : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
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| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10+ | $ 0.0972 | $ 0.97 |
| 4000+ | $ 0.0540 | $ 216 |
| 8000+ | $ 0.0488 | $ 390.4 |
| 12000+ | $ 0.0540 | $ 648 |
| 20000+ | $ 0.0431 | $ 862 |
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RN2908FE(TE85L,F) 情報
Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE(TE85L,F) 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
- パワー - 最大:100mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:ES6
- トランジスタタイプ:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:100nA (ICBO)
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:80 @ 10mA, 5V
- 周波数 - 遷移:200MHz
- 抵抗器 - ベース ( R1):22kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):47kOhms
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN2908FE(TE85L,F) 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
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