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Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
part number has RoHS
メーカー品番 :RN2706JE(TE85L,F)
Dasenic Part :RN2706JE(TE85L,F)-DS
顧客カスタム :
説明する : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
数量単価合計
25+$ 0.1350$ 3.38
50+$ 0.1008$ 5.04
100+$ 0.0945$ 9.45
200+$ 0.0867$ 17.34
500+$ 0.0741$ 37.05
在庫: 12000
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.135
合計 :$ 0.14
配達 :
dhlupsfedex
支払い :
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RN2706JE(TE85L,F) 情報

  • Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE(TE85L,F) 技術仕様、属性、パラメータ。
  • カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:SOT-553
  • パワー - 最大:100mW
  • サプライヤーデバイスパッケージ:ESV
  • トランジスタタイプ:2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
  • Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • 電流 - コレクターカットオフ(最大):100nA (ICBO)
  • D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:80 @ 10mA, 5V
  • 周波数 - 遷移:200MHz
  • 抵抗器 - ベース ( R1):4.7kOhms
  • 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):47kOhms
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RN2706JE(TE85L,F) 提供 Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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