Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-B,LF
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
- メーカー品番 :HN1C03FU-B,LF
- メーカーです :Toshiba Semiconductor and Storage
- Dasenic Part :HN1C03FU-B,LF-DS
- ドキュメント :
HN1C03FU-B,LF ドキュメント - 説明する : NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 0.243合計 : $ 0.24
- 出荷時期 :48時間以内に発送
- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
- 配達 :
- 支払い :
在庫: 17452
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 0.2430 | $ 0.24 |
| 10 + | $ 0.1557 | $ 1.56 |
| 100 + | $ 0.0711 | $ 7.11 |
| 1000 + | $ 0.0639 | $ 63.90 |
| 3000 + | $ 0.0486 | $ 145.80 |
引用を要求
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-B,LF 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パワー - 最大:200mW
サプライヤーデバイスパッケージ:US6
トランジスタタイプ:2 NPN (Dual)
電流 - コレクター ( Ic) (最大):300mA
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):20V
Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:100mV @ 3mA, 30A
電流 - コレクターカットオフ（最大）:100nA (ICBO)
D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:350 @ 4mA, 2V
周波数 - 遷移:30MHz
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-B,LF
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
Toshiba Semiconductor and Storage 関連商品のおすすめ
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
HN1C03FU-B,LF 類似製品
評価とレビュー
評価
製品を評価してください！
アカウントにログイン後、コメントを送信してください。
