Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q)
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
- メーカー品番 :GT8G133(TE12L,Q)
- メーカーです :Toshiba Semiconductor and Storage
- Dasenic Part :GT8G133(TE12L,Q)-DS
- ドキュメント :
GT8G133(TE12L,Q) ドキュメント - 説明する : IGBT 400V 600MW 8TSSOP
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 3.5496合計 : $ 3.55
- 出荷時期 :48時間以内に発送
- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
- 配達 :
- 支払い :
在庫: 58
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 10 + | $ 3.5496 | $ 35.50 |
| 3000 + | $ 1.9720 | $ 5916.00 |
| 6000 + | $ 1.8978 | $ 11386.80 |
| 9000 + | $ 1.8350 | $ 16515.00 |
引用を要求
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q) 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:600 mW
サプライヤーデバイスパッケージ:8-TSSOP
逆回復時間 (trr):-
電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):400 V
I G B Tタイプ:-
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.9V @ 4V, 150A
電流 - コレクタパルス ( Icm):150 A
エネルギーの切り替え:-
ゲートチャージ:-
Td (オン/オフ) @ 25° C:1.7µs/2µs
テスト条件:-
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.21.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q)
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
Toshiba Semiconductor and Storage 関連商品のおすすめ
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
GT8G133(TE12L,Q) 類似製品
評価とレビュー
評価
製品を評価してください！
アカウントにログイン後、コメントを送信してください。
