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  • Samsung K4F6E3S4HM-MGCJ

    BGA-200 DDR SDRAM
  • part number has RoHS
  • メーカー品番 :K4F6E3S4HM-MGCJ
  • メーカーです :Samsung
  • Dasenic Part :K4F6E3S4HM-MGCJ-DS
  • ドキュメント :pdf download K4F6E3S4HM-MGCJ ドキュメント
  • 説明する : BGA-200 DDR SDRAM
  • パッケージ :-
  • 数量 :
    単価 : $ 8.157合計 : $ 8.16
  • 出荷時期 :48時間以内に発送
  • 発送元 :深センまたは香港の倉庫
  • 配達 :
    dhlupsfedex
  • 支払い :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
在庫: 18000
( MOQ : 1 PCS )
価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
数量単価合計
6 +$ 8.1570$ 48.94
14 +$ 6.6929$ 93.70
21 +$ 6.4838$ 136.16
29 +$ 6.2746$ 181.96
38 +$ 6.0655$ 230.49

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Samsung K4F6E3S4HM-MGCJ 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
パッケージ/ケース:200-TFBGA
動作温度:-25°C ~ 85°C
電圧供給:1.1V
メモリサイズ:16Gbit
メモリタイプ:Volatile
クロック周波数:1866 MHz
メモリフォーマット:DRAM
メモリインターフェース:Parallel
記憶の整理:512M x 32
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Samsung K4F6E3S4HM-MGCJ
Samsung Semiconductor, Inc. は、世界最大の電子企業のひとつである Samsung Electronics の子会社です。Samsung Semiconductor は、メモリ、ストレージ、システムオンチップ ソリューションなどの半導体製品の設計と製造に注力しています。Samsung Semiconductor のメモリ製品ラインには、コンピュータ、スマートフォン、ソリッド ステート ドライブなどの幅広いデバイスで使用されるダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) と NAND フラッシュ メモリが含まれています。メモリに加えて、Samsung Semiconductor は、モバイル デバイスやカメラで使用するための高度なアプリケーション プロセッサやイメージ センサーも製造しています。同社はイノベーションに注力しており、最先端の製品を生み出すために研究開発に多額の投資を行っています。韓国、米国、インド、中国に研究開発センターがあります。Samsung Semiconductor は、米国、中国、韓国などさまざまな国に営業所や製造施設を構え、グローバルに事業を展開しています。同社は、テクノロジー、品質、顧客サービスに重点を置いた世界有数の半導体メーカーです。
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