Rohm Semiconductor HS8K1TB
30V NCH+NCH POWER MOSFET
メーカー品番 :HS8K1TB
メーカーです :Rohm Semiconductor
Dasenic Part :HS8K1TB-DS
ドキュメント :
HS8K1TB ドキュメント
HS8K1TB ドキュメント顧客カスタム :
説明する : 30V NCH+NCH POWER MOSFET
価格設定 : *価格をリクエストするには、「目標価格を送信」ボタンをクリックしてください。
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1+ | $ 0.5112 | $ 0.51 |
| 10+ | $ 0.4185 | $ 4.19 |
| 50+ | $ 0.2808 | $ 14.04 |
| 100+ | $ 0.2673 | $ 26.73 |
| 500+ | $ 0.2241 | $ 112.05 |
在庫: 11609
MOQ :1 PCS
パッケージ :-
出荷時期 :48時間以内に発送
発送元 :深センまたは香港の倉庫
数量 :
単価 :$ 0.5112
合計 :$ 0.51
配達 :
支払い :
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
HS8K1TB 情報
Rohm Semiconductor HS8K1TB 技術仕様、属性、パラメータ。
- カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-UDFN Exposed Pad
- パワー - 最大:2W (Ta)
- サプライヤーデバイスパッケージ:HSML3030L10
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A (Ta), 11A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:348pF @ 15V, 429pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HS8K1TB 提供 ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
ROHM Semiconductor 関連製品す
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
