ROHM Semiconductor BM60213FV-CE2
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
- メーカー品番 :BM60213FV-CE2
- メーカーです :ROHM Semiconductor
- Dasenic Part :BM60213FV-CE2-DS
- ドキュメント :
BM60213FV-CE2 ドキュメント - 説明する : IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
- パッケージ :-
- 数量 :単価 : $ 4.617合計 : $ 4.62
- 出荷時期 :48時間以内に発送
- 発送元 :深センまたは香港の倉庫
- 配達 :
- 支払い :
在庫: 6078
( MOQ : 1 PCS )価格設定 : *すべての価格はドルで計算されます
| 数量 | 単価 | 合計 |
| 1 + | $ 4.6170 | $ 4.62 |
| 10 + | $ 3.0600 | $ 30.60 |
| 100 + | $ 2.6370 | $ 263.70 |
| 250 + | $ 2.3580 | $ 589.50 |
| 500 + | $ 2.1870 | $ 1093.50 |
引用を要求
コストと時間を節約するのに役立ちます。
厳格な品質検査と商品の信頼できるパッケージ。
時間を節約する高速で信頼性の高い配送。
365日間の保証アフターサービスを提供します。
ROHM Semiconductor BM60213FV-CE2 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 125°C
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
入力タイプ:Non-Inverting
サプライヤーデバイスパッケージ:20-SSOP-BW
電圧 - 供給:10V ~ 24V
チャンネルタイプ:Independent
駆動構成:High-Side or Low-Side
ドライバー数:2
ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 2V
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:4.5A, 3.9A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):1200 V
上昇/下降時間（標準）:50ns, 50ns
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8542.39.0001
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ROHM Semiconductor BM60213FV-CE2
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
ROHM Semiconductor 関連商品のおすすめ
市場で希少な部品であっても、電子部品に対するお客様のご要望に迅速に対応いたします。
BM60213FV-CE2 類似製品
評価とレビュー
評価
製品を評価してください！
アカウントにログイン後、コメントを送信してください。
